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构建高性能无机光致伸缩材料的多晶型相界 | 通过PWmat发论文

11天前浏览44



研究背景


由于光致伸缩材料能够将光直接转化为机械应变,因此光致伸缩材料有望为无线微机电设备(如光驱动传感器、光声器件、光控智能设备等)提供革命性解决方案。然而,大多数无机材料的光致伸缩性能普遍较差(通常小于10⁻⁴),远低于压电材料的电场诱导应变,因此与铁电/压电材料的电场诱导应变相比表现不佳。

本文通过在Pb₃V₂₃P₂O₈化合物中构建多晶型相界(PPB),实现了无机材料光致伸缩的有效优化。在PPB区域的Pb₃V₂₃P₂O₈成分中,实现了超过0.3%的显著光致伸缩和10⁻¹⁰ m³/W级别的优异光致伸缩效率,其性能优于大多数现有的无机光致伸缩材料。

 

此外,在低至200 mW/cm²的光强度下,可实现超过0.1%(与压电应变相当)的光致伸缩。从理论上揭示了增强的光致伸缩源于由Pb-O-V共线性和V-V二聚体形成驱动的光诱导相变,而P掺杂可以促进这种相变(由PWmat提供理论计算验证),从而在低光激发下实现显著形变,相比之下性能远优于有机-无机杂化钙钛矿材料,且避免了其热稳定性和耐湿性的问题。

这项工作将加速高性能无机光致伸缩材料的发展,及其在光机械器件(如无线传感器)中的应用。文章发表在《Nature Communications》期刊上(点击阅读原文查阅),DOI:https://doi.org/10.1038/s41467-025-58100-1

     

高性能 Pb₃V₂₋ₓPₓO₈ 陶瓷的光致伸缩性能

     

Pb₃V₂₋ₓPₓO₈陶瓷的相演化

     

Pb₃V₂₋ₓPₓO₈陶瓷的光致伸缩性能

     

光强和时间依赖的光致伸缩行为

     

P0.18样品在光刺 激下的结构演化

左右滑动


最后特别提到一点,理论计算在该工作中不仅是实验结果的辅助解释工具,更是机理发现和材料设计的核心驱动力,通过多尺度模拟,揭示了P掺杂降低相变阈值、光激发驱动键重构的物理本质,为高性能光致伸缩材料的开发提供了理论基石。



PWmat起到的具体作用


PWmat在该研究中不仅承担核心计算任务,更是连接实验现象与微观机理的桥梁。其高效处理复杂掺杂体系、模拟非平衡光激发过程的能力,为揭示光致伸缩的原子级机制提供了不可替代的支持这项工作也展示了国产计算软件在尖端材料研究中的竞争实力。


基态电子结构计算选择在Pb₃V₂ₓPₓO₈化合物中,计算β相和γ相的能量差(图1a),确定P掺杂对相变能垒的影响;激发态模拟过程则采用约束电子占据数方法(constrained occupation method)模拟光激发条件下的电子态,直接关联实验中不同光强下的相变行为;分子动力学(AIMD)模拟在NPT系综下运行,模拟光激发引起的原子运动(图2-3),揭示Pb-O键断裂和V-V二聚体形成的动态过程

 

图1不同电子激发条件下,β相和γ相之间的能量差随P含量(x)的变化关系;PO和PO.1875(P掺杂)系统的体积变化与价电子激发比例(η)的关系,η定义为被激发的价电子数与总价电子数之比。


 

图2a, b P0 (a) 和P0.1875 (b) 在0 fs和500 fs时的部分原子结构,在(b)中顶部图案显示a-b平面结构,底部图案显示a,b平面结构,V、Pb和O原子分别用黄色、蓝色和灰色球体表示,红色箭头表示光激发原子驱动力,红色叉号表示断裂的化学键;c, d P0 (c) 和P0.1875 (d) 中Pb-O键长的动态变化,灰色和红色线分别对应Pb(1)-O和Pb(2)-O的键长;e, f P0 (e) 和P0.1875 (f) 沿b轴的V-O键长动态变化。


 

图3P0在0 fs和500 fs时的部分原子结构,V、Pb和O原子分别用黄色、蓝色和灰色球体表示,红色箭头表示光激发原子驱动力;b-e P0和P0.1875中V-O、V-V和P-V键长的动态演化。



PWmat展现独特计算优势

首先大体系高效计算使用234原子超胞(DFT)和208原子超胞(AIMD),在保证精度的同时处理复杂掺杂体系;非绝热激发模拟通过自定义电子占据数(如0.75%电子被激发到导带),直接模拟光生电子-空穴对晶格的瞬时影响(图1b);最后用特殊准随机结构(SQS)方法对P掺杂的固溶体(Pb₃V₂ₓPₓO₈)生成热力学稳定的随机占位构型,避免周期性掺杂带来的误差。


PWmat支撑重要发现

一是相变能量趋势(图1a)计算显示P掺杂(x=0.11–0.22)显著降低β→γ相变能垒,与实验PPB区域性能优化吻合;二是光致体积变化(图1b)AIMD模拟预测P0.1875体系在0.76%电子激发下即出现收缩(-0.06%),而纯Pb₃V₂O₈需要更高激发强度,解释了低光强下PPB区域的优异响应;三是原子机制解析(图2-3)动态追踪Pb-O键断裂(图2d)和V-V二聚体形成(图3e),揭示光致伸缩的微观驱动机制。


PWmat提供方法学创新

PWmat通过自定义电子占据(电子激发-晶格响应耦合)实现光激发条件的直接模拟,避免了传统“先算能带再拟合”的间接方法;将温度控制AIMD在30°C恒温下模拟,排除热效应干扰,明确光致伸缩的非热本质。


PWmat对实验起到指导意义

PWmat弥补了实验的局限性,实验无法直接观测飞秒尺度的原子运动,PWmat优化了掺杂范围,预测在x≈0.14–0.22为PPB最佳区间,指导实验合成;而AIMD模拟动态捕捉了键长变化和相变路径,相比传统同类型软件,PWmat的GPU加速缩短了大体系AIMD的计算时长;与此同时PWmat还帮助实验大大降低了试错成本,通过计算预测相变趋势,避免了盲目尝试掺杂比例;PWmat还通过模拟光诱导Pb-O-V共线性(图2f),支持“相变前驱体”理论,验证了机理并深化了机理认知,将宏观性能(光致相变)与微观电声耦合关联,建立了“成分-结构-性能”的完整理论框架,为后续优化材料(如调控V/P比例或引入其他元素)指明了方向。


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来源:龙讯旷腾

断裂化学半导体电子UM电场理论材料分子动力学
著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2025-08-23
最近编辑:11天前
龙讯旷腾
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