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高压MOSFET/IGBT栅极驱动设计

电力电子技术与新能源

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增加了两个退耦电容，开关节点的负电压幅度显著降低。

功率地与控制地之间增加一个适当的小电阻进行分开。

降低从功率MOS管的源极到驱动器COM端的寄生电感；

在VDD和GND之间添加高频陶瓷电容

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来源：电力电子技术与新能源

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首次发布时间：2025-08-15

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电力电子技术与新能源

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