其中Eo为真空介电常数=8.854*10e-6pF/um
Er为陶瓷的介电常数,通常为钛酸钡,介电常数很大,2000+;
n为电容内部电极的数量;
A为电极相对的面积;
d为内部电极间的间距;
因此用上面的公式来计算MLCC的电容还是比较准确的!!
参考文档”Designing DC-Blocking Capacitor Transitions to Enable 56Gbps NRZ &112Gbps PAM4“
///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
从电容的自谐振频率来确定电容值,我们知道在谐振频点,电容的阻抗最低,如果同时知道回路电感,那么就可以反推出电容的容值capacitance:
1、要得到自谐振频点SRF——电容直接短路到GND,观察mag(Z)即可得到;
2、要得到回路电感-根据公式Im(Z11)/(2*pi*freq)
step I:建立一个短路模型
step II: 得到谐振频率f=0.065GHz=65MHz
step III: 得到回路电感loop inductance,大概为0.5nH
step IV: 通过如下公式得到电容为12nF
**12nF比计算值10.9nF和Q3D 仿真值10.22nF都大,为什么?
**因为代入公式中的L是整个回路的电感,比电容自身的寄生电感要大,会使得谐振频率降低,如果在计算中将0.065GHz稍微增大一些,那么三个值就很接近了。
///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
一个比较严重的问题,异常的谐振,当将电容短路时,此时终端阻抗为零,按理论应该会发生全发射,S11应该无限接近于0dB,但是仿真出来的曲线是这样的,优化了很多参数都没找到原因,希望哪个大神能帮我知道下,现在被这个异常的谐振卡住了。看起来是在某些频点形成了天线效应,能量都辐射出去了,毕竟Er=5000太大了,对应的电波长很小,容易形成半波长辐射。