匹配电阻值对EML TOSA的高频性能影响

上一篇文章（电吸收调制器（EA modulator）的高频特性）遗留了三个问题，其中一个问题是匹配电阻值如何影响EA调制器的高频特性，参考下图黑色小方块，即是匹配电阻，通常都是50ohm，但是如果你测试过EML COC的TDR就知道，当给laser加了偏置电流，并且给EA加了反偏电压之后，测试的TDR阻抗曲线并不会归一化到50ohm的terminal，一定会小于50ohm，因为EA跟这个50ohm电阻是并联关系，因此可以推断在正常工作条件下，EA的阻抗不是无穷大，而是几百或者几十ohm。

既然正常工作条件下，EA的阻抗不是50ohm，如果我并联一个比较大的电阻（>50ohm)，那么两者的并联电阻就可以无限接近于50ohm，跟RF trace的特征阻抗完全匹配，这个时候EML的高频特性是否会改善呢？为了验证效果，可以将匹配电阻值进行变量扫描，从40ohm到70ohm，步进为10ohm，也即是对比40/50/60/70ohm这四个匹配电阻下的高频性能。