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光收发器信号完整性分析(包含封装效应)-AEDT-INTERCONNECT互操作性

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在此示例中,Ansys Circuit和INTERCONNECT用于对2.5D集成光收发器进行电光信号完整性仿真。该收发器由通过interposer层连接的电集成电路(EIC)和光子集成电路(PIC)组成。

Ansys Circuit用于对信号路径的电学部分进行建模,INTERCONNECT用于对光学部分进行建模。单向信号传输用于连接信号路径的电学部分和光学部分。Interposer层上的信号路径使用Ansys HFSS 3D电磁仿真计算出的S参数进行建模。

概述

了解仿真工作流和关键结果。

收发器信号路径始于EIC上的driver,该driver通过interposer将10Gb/sNRZ信号发送到PIC上的耗尽型环形调制器。调制后的光信号经过一个代表信道损耗的衰减器,到达接收器上的光电探测器。光电流驱动接收信号通过interposer层返回到EIC上的电阻。

步骤1:发射器电路

该电路用于仿真EIC上的driver和PIC上的环形调制器之间发射器信号路径的电学部分。

发射器电路由代表调制器driver的电压源、Interposer层的状态空间模型单元以及环形调制器的等效电路组成。Interposer层状态空间模型基于Ansys HFSS进行3D电磁仿真计算出的电S参数生成。

环形调制器等效电路由两个电阻和一个电容组成,分别代表调制器PN结的电阻和电容。等效电路中结电容两端的电压保存在一个文本文件中,并在下一步中用作环形调制器光学模型的输入。

步骤2:光信道

Lumerical INTERCONNECT用于模拟由激光源、发射器和接收器组成的光信道。

上一步中记录在文本文件中的电压由“Signal Voltage”元件读取,并用于驱动发射器中的环形调制器模型。使用3dB衰减来模拟调制器和接收器上的光电探测器之间的光信道损耗。在光电探测器之后放置一个低通滤波器元件,以模拟光电探测器受载流子渡越时间限制的带宽。接收器上的光电探测器产生的光电流由“PD Current”元件保存为文本文件,并用作下一步的输入。

步骤3:接收器电路

与发射器电路类似,接收器的电学部分采用Ansys Circuit进行仿真。接收器电路由光电探测器的等效电路、Interposer层状态空间模型以及EIC上用作跨阻放大器(TIA)的电阻组成。

INTERCONNECT仿真得到的光电流从文本文件中读取,用于驱动光电探测器等效电路中的电流源。EIC负载电阻两端产生的电压被记录下来,用于创建接收信号的眼图。

运行和结果

步骤1:发射器电路

  1. 打开Ansys Electronics Desktop,将存档文件Optical_transceiver.aedtz解压到包含示例文件的文件夹中。

  2. 在项目管理器中右键单击“Driver”电路,然后选择分析以运行仿真。

  3. 仿真运行完成后,右键单击Results>RM_Voltage,然后选择“Export…”。

  4. 将结果保存为逗号分隔的数据文件(*.csv),文件名为RM_Voltage.csv,并保存到包含示例文件的文件夹中。

RM_Voltage结果报告记录了表示环形调制器结电容的电容器两端的电压,该电压由与环形调制器电等效电路中的电容器并联放置的差分眼图探头记录下来。

该电压被导出到名为RM_Voltage.csv的文本文件,以便下一步可以将其导入INTERCONNECT。

步骤2:光信道

  1. 在INTERCONNECT中打开仿真文件Optical_channel.icp。

  2. 在INTERCONNECT中运行脚本process_volt_data.lsf,将Circuit中的电压数据转换为正确的格式。

  3. 在Optical_channel.icp中运行仿真。

process_voltage_data.lsf脚本会将上一步生成的RM_Voltage.csv文件中的电压数据转换为适合INTERCONNECT的格式,具体方法是删除文件头并将时间单位转换为秒。更新后的数据将保存为名为RM_Voltage_processed.txt的文本文件。

处理后的电压数据由分段线性导入元件“Signal Voltage”读取,并用于驱动环形调制器。分段线性导出元件“PD Current”会自动将光电探测器电流信号导出到名为PIN_output.txt的文本文件中,该文件位于与仿真文件相同的文件夹中。该文件可以在下一步中重新导入到Ansys Circuit的接收器电路中。

眼图分析仪会创建光电探测器产生的电信号眼图。

注意此步骤中的脚本和仿真文件假定它们与上一步中的RM_Voltage.csv文件一样放置在工作目录中。您可以使用工具栏中的File>Change working directory来设置当前工作目录。“Signal Voltage”的filename属性必须指向process_voltage_data.lsf脚本创建的RM_Voltage_processed.txt文件,该文件由脚本放置在当前工作目录中。

步骤3:接收器电路

  1. 返回Ansys Electronics Desktop中的Optical_transceiver.aedt项目。

  2. 双击项目管理器中的“Receiver”电路,打开接收器电路原理图。

  3. 右键单击项目管理器中的“Receiver”电路,然后选择Analyze以运行仿真。

I_PD分段线性电流源将从上一步INTERCONNECT仿真中保存的PIN_output.txt文本文件中导入光电探测器电流。VL电压表将记录负载电阻两端的电压。该电压的眼图将自动绘制在原理图上。

注意接收器电路中I_PD元件的PWLFILE属性必须指向上一步中由INTERCONNECT创建的PIN_output.txt文件。默认情况下,它设置为指向与AEDT项目文件相同的位置。

重要模型设置

数据交换的文件路径

在此工作流程中,AEDT和INTERCONNECT之间通过文本文件交换电信号。如果文件不在预期位置,工作流程将无法运行。上文“Run and Results”部分中描述的步骤假设此工作流程的所有文件都位于同一文件位置。

对于从AEDT到INTERCONNECT的交换,生成文件的文件名和路径由在项目管理器中右键单击Results>RM_Voltage并选择Export…时打开的对话框窗口决定。用作脚本process_voltage_data.lsf输入的文件是脚本第8行中指定的文件:

voltage_filename="RM_Voltage";

默认情况下,此文件位于INTERCONNECT的当前工作目录中。脚本的第10行会将“.csv”文件扩展名附加到此文件的名称中。脚本输出的文本文件将使用相同的名称,并在其后附加“_processed”,并放置在与输入文件相同的位置。

然后,INTERCONNECT仿真中的“Signal Voltage”元件(它是一个分段线性导入元件)会读取此文件中的数据。此元件读取的文件是使用filename属性设置的。

运行INTERCONNECT仿真时,“PD Current”元件(它是一个分段线性导出元件)会自动将其输入端口的电信号值导出到其filename属性指定的文本文件中。

分段线性导出元件导出的数据格式已经适合导入AEDT,因此无需进行任何编辑。该文件的数据由AEDT接收器电路中的“I_PD”元件(它是一个分段线性电流源)读取。读取的文件由该元件的PWLFILE属性指定。

电等效模型

调制器和光电探测器等光电元件的负载效应可以通过等效电路建模。这些电路通常由电阻、电容、电感和二极管等基本电子元件组成。这些元件的数值可以通过仿真计算得出,也可以从实验测量中提取。

在本工作流程中,调制器和光电探测器使用相对简单的等效电路来表示这些器件的电阻和电容。根据器件设计的具体细节,可以使用包含其他寄生电效应的更详细的等效电路。

进一步研究模型

多通道仿真

通过复 制本例中使用的元件,可以扩展此工作流程以包含多个通道。每个通道将有单独的文本文件用于在AEDT和INTERCONNECT之间传输信号,并且每个电路中都有单独的对应元件用于导出/导入信号。

参考文献

  1. Signal Integrity Analysis in a Co-packaged Optics System using RaptorX-Spectre-INTERCONNECT Interop

  2. Thermally aware photonic circuit simulation of a WDM transceiver – Icepak integration

  3. Layout-aware statistical yield analysis – WDM transceiver

  4. Wavelength division multiplexing


来源:摩尔芯创
Electronics DesktopIcepakHFSSOpticalSystem电路信号完整性半导体光学电力电子
著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2025-07-17
最近编辑:22小时前
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光学仿真、光学培训、硅基光电子
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弱反导双腔光子晶体VCSEL阵列中增强超模稳定性

在激光技术的发展历程中,如何实现高亮度、高稳定性的光束输出一直是科研人员不懈探索的目标。近日,美国伊利诺伊大学香槟分校的研究团队在《IEEE PHOTONICS JOURNAL》上发表的一项研究,为这一领域带来了突破性进展。他们开发的弱反导双腔光子晶体垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列[1],通过创新性的结构设计和电流耦合机制,实现了超模式激光发射的大幅稳定性提升,为高亮度光应用开辟了新路径。激光亮度的挑战与突破激光的“亮度”并非简单指光的强弱,而是衡量其在单一光学模式(尤其是基模)中集中能量的能力。对于半导体激光二极管而言,多模激射现象使其亮度往往逊色于光纤激光器。传统提升亮度的方法要么扩大激活体积以抑制高阶模,要么通过光谱合成多个单模激光束。而当激光器通过光学耦合连接时,一种全新的“超模”应运而生——其波函数分布在多个腔体内,成为实现高亮度的关键控制对象[2]。研究团队此次开发的940nm双腔光子晶体VCSEL阵列,突破性地实现了“弱反导”设计。与传统强限制结构不同,这种设计通过降低光学耦合腔之间的电阻,巧妙利用了腔间电流的“串扰效应”。实验表明,这种设计不仅能在扩展的相干区域内实现同相(远场轴上出现主瓣)和异相(远场轴上出现零值)两种超模的稳定运行,还能在连续波操作下使任一超模的输出功率超过4mW。双腔VCSEL阵列的设计该阵列940nm顶部发射的VCSEL外延层采用AlAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜,无需氧化物孔径,顶部输出镜为17个周期结构。光学限制由刻蚀在顶部反射镜上的光子晶体图案提供,腔体由光子晶体图案中缺失的孔定义,如图1所示,这种“缺陷”设计恰是光学耦合的关键。图1双腔离子注入六边形光子晶体刻蚀后的光学图像电约束则通过离子注入实现,其在空间上限定了双增益区。器件左右两侧设置独立电接触,可分别控制注入每个腔体的电流。光子晶体图案中删除两个孔以创建反导光学耦合腔,孔间距和直径经过精确设计(4μm周期、2.4μm直径孔),分隔双腔的孔直径减小以促进耦合,其简易示意图如图2所示。图2电约束的简化示意图从光功率到远场分布的全维度分析通过自动化数据采集系统独立扫描两个注入电流,研究团队对双元件光子晶体VCSEL阵列的连续波光输出功率和远场光束分布进行了表征。如图3所示的三维光输出表面图清晰显示,与以往相干双VCSEL阵列不同,新阵列在对角线方向出现两条大致平行的“功率脊”,分别对应同相和异相超模式的工作区域。 图3三维光输出表面图远场光束分布测量进一步验证了超模式的独特性。图3中,A、B、C点对应异相超模(分裂瓣),D、E、F点对应同相超模(中央瓣),不同的远场可见度源于各超模式相对强度的差异。这种非简并超模的存在产生了光子-光子共振,不仅可测量,还为增强数字调制提供了可能[3]。为探究相干工作区域扩展的机制,研究团队聚焦于离子注入隔离区引起的电串扰电流。如图2所示的简化示意图,正向偏压下,注入电流Ileft和Iright分别流入各自腔体,遇到串联电阻Rleft和Rright,而隔离区的有效电阻Rimplant允许部分电流横向扩散,形成串扰电流。通过迭代求解器结合实验测量的腔体电压和电阻提取,研究人员发现串扰电流能有效降低阈值并拓宽支持相干超模运行的电流范围。图4中,归一化串扰电流的方向和大小与稳定超模区域叠加显示:左到右的箭头表示电流从左腔流向右腔,反之亦然,而颜色深浅反映电流强度——这直接印证了串扰电流对超模稳定性的增强作用。图4同相和异相超模的工作区域与注入电流的关系从数据到应用的性能突破(一)超模稳定性“峰值比”作为衡量双腔VCSEL阵列相干度和超模主导性的关键指标,其定义为远场强度分布傅里叶变换后旁瓣峰值与中心峰值的比值。图5显示,峰值比小于0.1对应高斯模式,大于0.3对应超模发射。与先前设计相比,新阵列的峰值比曲线清晰表明其相干区域更宽、更明显,实现了从单腔高斯模式到相干超模的平滑过渡。图5根据远场强度分布计算峰值比(二)功率与效率的双重提升 图4展示了两种超模的输出功率随总电流的变化曲线:蓝色为同相超模,绿色为异相超模,两者均实现了高达4mW的输出功率且边模抑制比优异。值得注意的是,相干超模的激光阈值低于单腔模式,这源于其固有的低模增益需求,而元件间强烈的电流耦合进一步强化了这一特性。(三)高亮度应用的广阔前景弱反导设计带来的操作灵活性——即在宽电流组合范围内支持稳定超模运行的能力,使该VCSEL阵列在多种高亮度应用中展现出独特优势。在低电流或非对称注入条件下实现稳定激光发射的特性,使其成为数据中心高密度芯片间互连、医疗环境光学传感器,甚至神经形态计算系统的理想候选者。与传统方法相比,该技术无需复杂的外部相位锁定系统,通过集成设计实现了光束控制,为光子芯片的大规模生产提供了可行性。此外,硅基平台的潜在兼容性(尽管当前研究基于III-V族材料)也为未来电光集成开辟了道路。总结与未来展望这项研究不仅展示了弱反导双腔光子晶体VCSEL阵列在扩展相干超模区域方面的优势,更揭示了串扰电流在增强稳定性和可调性中的核心作用。与强限制设计相比,该方法克服了传统VCSEL阵列相干区域狭窄的挑战,结合低功率调制能力,为高亮度光应用提供了坚实的技术基础。未来研究可聚焦于以下方向:进一步优化镜面蚀刻工艺并引入高反射涂层以提升激光性能;通过量子阱结构设计将发射波长拓展至1300nm;探索与互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的集成,解决高温工艺对芯片组件的潜在损害问题。参考:[1]Pflug D W, Armstrong C, Raftery E, et al. Enhanced Supermode Stability in Weakly Anti-Guided Dual-Cavity Photonic Crystal VCSEL Arrays[J]. IEEE Photonics Journal, 2025. [2]Jahan N, Choquette K D. Supermode analysis and characterization of triangular vertical cavity surface emitting laser diode arrays[J]. IEEE Photonics Journal, 2023, 15(4): 1-7.[3]Fryslie S T M, Gao Z, Dave H, et al. Modulation of coherently coupled phased photonic crystal vertical cavity laser arrays[J]. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2017, 23(6): 1-9.来源:摩尔芯创

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