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DDS杂散分析及原理

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直接数字频率合成器(DDS)以其卓越的频率捷变性和高分辨率,在通信、雷达、测试测量等领域得到了广泛应用。然而,DDS输出的频谱并非理论上的纯净单频信号,不可避免地会包含各类杂散成分,这些杂散可能对系统性能(如动态范围、信噪比、邻道干扰等)产生显著影响。本文将深入剖析DDS杂散的来源及其产生机理,为优化DDS系统设计提供理论依据和参考。

1. DDS基本原理回顾

DDS的核心思想是利用数字技术直接合成所需频率的正弦波。其典型结构由以下关键模块构成:

相位累加器: 在每个系统时钟周期,将频率调谐字(Frequency Tuning Word, FTW)累加到相位寄存器中。该寄存器的输出代表了当前合成信号的线性递增相位值(通常取高位)。

相位幅度转换器(正弦查找表 - SINE LUT): 将相位累加器输出的相位值(通常是高位部分)作为地址,查找预先存储的正弦波幅度样本。

数模转换器(DAC): 将数字幅度样本转换为连续的模拟电压信号输出。

理想情况下,DDS输出应为单一频率(f_out = (FTW / 2^N) * f_clk,其中N为相位累加器位数)的正弦波。然而,实际实现中的非理想因素会导致输出频谱中出现非期望的杂散信号。

2. DDS杂散来源分析

要想分析DDS的杂散,首先要理清DDS是什么,从本质上看,DDS是对主频的分频,将主频分成2^N,这个过程相当于ADC的采样,采样要符合奈奎斯特定理,所以DDS输出的频率不高于主频的一半,一般最多为40%。理解了DDS的本质,就可以去理解杂散的来源了,输出频谱中的杂散主要由以下因素引起:

2.1 参考时钟噪声与杂散(REF CLOCK SPURS/NOISE)

参考时钟(f_clk)本身的相位噪声和杂散会直接调制到DDS的输出频率上,在输出频谱中产生相同偏移量的杂散或抬升底噪。

DDS的输出相位噪声与频率调谐字的大小成正比关系。输出频率越低(即FTW越小),输出相位噪声越接近参考时钟相位噪声(噪声基底);输出频率越高(FTW越大),输出相位噪声恶化越明显(L(f_out) ≈ L(f_clk) + 20 log10(FTW / 2^N))。

若DDS参考时钟由锁相环(PLL)倍频产生,则PLL会将其输入参考的噪声和杂散放大 20log10(P) 倍(P为倍频系数)。

2.2 相位截断杂散(PHASE TRUNCATION SPURS)

由于相位累加器位数(如32位、48位)远高于实际用于寻址正弦查找表的位数(如12-16位),必须对相位值进行低位截断。这种相位信息的量化丢失导致周期性相位误差,产生离散的杂散谱线。

相位截断杂散的频率间隔(或位置)由调频码(FTW)、截断位数(B)和系统时钟频率(f_clk)共同决定,通常不位于谐波位置。

2.3 相位幅度转换杂散(PHASE-to-AMPLITUDE CONVERSION SPURS)

正弦查找表(SINE LUT)的有限存储深度导致幅度量化误差,以及存储值的非理想性(如截断或舍入误差、存储非线性)会引入非线性失真。这种失真表现为附加的杂散分量。

通常,由理想幅度量化(假设使用足够位宽的DAC)引入的噪声基底约为 -6.02N - 1.76 dBc(N为DAC位数),而SINE LUT的非理想性产生的杂散通常低于此量化噪声基底约10dB或更多。因此,在独立DDS系统中,它可能不是主导性杂散源。但需特别注意: 当DDS用作PLL的参考源时,如果此杂散落在PLL环路带宽内,将被PLL显著放大(20log10(P)倍),从而变得非常显著。

2.4 DAC非线性引入的杂散(DAC NONLINEARITY SPURS)

这是DDS输出杂散的最主要来源之一。DAC的积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)误差、开关毛刺(Glitch)、建立时间不足、动态性能限制等非理想特性,会导致输出信号产生谐波失真和互调失真。

谐波失真能量主要分布在输出频率的低次谐波处(如2次、3次谐波)。DAC的微分非线性是产生非谐波相关杂散(如毛刺能量)的重要原因。

关键对策: 选择高性能、高线性的DAC至关重要。同时,通过精心选择参考时钟频率 (f_clk) 和设定输出频率 (f_out),可以利用DAC输出的“混叠”特性(DDS输出本质上是采样数据系统),将主要的谐波失真能量转移到奈奎斯特带宽(f_clk / 2)之外,然后通过重构滤波器滤除,从而显著降低输出带内杂散水平。

2.5 内部数字开关噪声耦合(DIGITAL SWITCHING SPURS)

DDS芯片内部高速工作的数字电路(尤其是相位累加器和地址总线)会产生大量的开关瞬态电流。这些电流在电源/地路径的阻抗和PCB走线电感上产生压降,并通过容性或感性耦合路径串扰到敏感的模拟输出(尤其是DAC的基准电压、输出放大器或直接耦合到输出走线),在输出频谱上表现为杂散尖峰(通常分布在特定频率如 f_clk, f_clk/2, f_clk/4 等及其边带附近)。

2.6 PCB布局布线不当引入的杂散

地平面设计: 不合理的模拟地和数字地分割(如形成“壕沟”)、接地不良(高阻抗接地路径)、地回路等,会加剧数字开关噪声向模拟部分的耦合。

电源: 电源去耦不足、电源层设计不良会导致噪声通过电源路径耦合。

信号布线: DAC输出走线过长、未按差分走线规则处理(若为差分输出)、靠近高速数字信号线、参考电压/基准源走线未妥善保护等,都会拾取噪声,导致输出相位噪声性能劣化和杂散产生。

连接方式: 差分输出的DAC未正确使用差分传输和接收(如错误单端接入),会损失共模抑制比,引入额外噪声和失真。

3. 降低DDS杂散的措施

针对上述杂散来源,可采取以下措施进行抑制和优化:

参考时钟: 选用低相位噪声、低杂散的晶体振荡器(OCXO、TCXO等)作为参考时钟源。必要时,在时钟路径加入带通或低通滤波器以滤除时钟源的带外噪声和谐波。

相位截断: 在满足系统速度和资源限制的前提下,尽量增大用于寻址SINE LUT的相位位数(B),或采用相位抖动(Dithering)技术将离散杂散能量分散为底噪。

相位幅度转换: 确保SINE LUT有足够的深度和精度。可采用压缩算法(如Sunderland, Hutchinson)或插值技术来减少存储量和提高精度。对于驱动PLL的应用,需格外关注落入PLL带宽内的杂散。

DAC选择与使用:

选择具有高无杂散动态范围(SFDR)、低谐波失真(THD)和良好动态性能的DAC。

精心规划 f_clk 和 f_out,利用DDS的混叠特性使主要谐波落在 f_clk/2 之外。

确保DAC的基准电压(Vref)极其纯净稳定(使用低噪声LDO、充分去耦、缓冲)。

严格按照数据手册要求进行外围电路设计(去耦电容、输出滤波器)。

抑制数字开关噪声:

电源: 采用多层板,设置独立的模拟/数字电源平面(若必要),使用磁珠/电感+电容构成的π型滤波器隔离数字和模拟电源。在每个芯片电源引脚就近放置高质量、小容值(如0.1μF, 0.01μF)陶瓷去耦电容到地平面。

地: 采用统一、完整、低阻抗的接地平面是最佳实践 。避免分割地平面,若必须分割,仅在电源入口点单点连接模拟地和数字地。确保所有接地路径(尤其是DAC和时钟芯片)尽可能短且直接连接到地平面上。

布局布线: 严格分离模拟和数字信号走线。DAC模拟输出走线应远离高速数字信号线(如时钟线、数据总线)。对差分输出信号进行严格的对称差分走线(长度匹配、等间距)。缩短关键模拟走线长度。对敏感模拟信号线(如Vref)进行包地保护(Guard Trace)。

屏蔽: 必要时,对DDS芯片或模拟输出部分进行屏蔽处理。

输出重构滤波器: 在DAC输出端设计并放置高性能的低通滤波器(通常为椭圆或切比雪夫滤波器)。该滤波器的主要作用是滤除采样带来的镜像频率(位于 n * f_clk ± f_out, n=1,2,3...)和利用混叠落在带外的高次谐波,同时平滑DAC输出的阶梯波形。滤波器设计至关重要,其截止频率、带内纹波、带外抑制和群时延特性需根据应用需求仔细权衡。

结论

DDS输出杂散的产生是固有原理限制(相位截断、幅度量化)与各类硬件实现非理想因素(参考时钟噪声、DAC非线性、数字噪声耦合、PCB设计缺陷)共同作用的结果。深入理解这些杂散的物理来源和数学机理(如噪声调制关系、傅里叶频谱特性)是进行有效抑制的前提。通过精心选择器件(低噪时钟、高线性DAC)、优化核心算法/配置(增加有效相位/幅度位数、合理设置频率)、实施严格的硬件设计(特别是低噪声PCB布局布线技术)以及设计合适的输出滤波器,可以显著降低DDS输出频谱中的杂散水平,从而提升整个信号链路的动态范围和信噪比,满足高性能系统的苛刻要求。


来源:射频通信链
System非线性电源电路芯片通信理论
著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2025-07-29
最近编辑:12小时前
匹诺曹
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LDMOS与GAN的对比分析

在无线通信领域,功率放大器(PA)的技术选型直接影响系统效率、成本及性能。LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)和 GaN(氮化镓)作为主流 PA 技术,在不同应用场景中展现出显著差异。以下从核心维度对比两者的优劣势:一、效率表现:GaN 突破传统瓶颈,LDMOS 受限于线性度权衡GaN 的高效优势GaN 凭借宽禁带半导体特性及 Doherty 等智能架构,将 PA 效率提升至超过 50% ,这一指标较传统技术实现显著突破。在 5G 基站等场景中,高效特性可直接降低超过 50% 的电力成本。此外,GaN 在 200MHz 及以上宽频带应用中仍能维持高效,而传统技术在此类场景下效率会大幅衰减。二、带宽与频率适应性:GaN 引领宽频趋势,LDMOS 面临高频限制GaN 的宽频与高频潜力GaN 材料支持200MHz 以上带宽及高频段(如毫米波)应用,满足 5G NR 对宽频带和多载波聚合的需求。GaN属于宽禁带半导体材料,其禁带宽度大于LDMOS。宽禁带使得GaN器件能够在更高的温度和更高的电压下工作,且不易发生热激发和电子泄漏等现象,从而在高频段能够保持更好的性能和稳定性。开发带宽达 200MHz 的 PA 是 5G 时代的核心挑战,而 GaN 在此方面表现出更强的适应性。LDMOS 的频率天花板LDMOS的禁带宽度较窄,在高频、高功率条件下,更容易出现热激发和电子泄漏等问题,导致性能下降,限制了带宽的提高。LDMOS 的频率响应特性使其在3GHz 以上频段性能显著下降,带宽拓展能力有限。这使其在 5G 大规模 MIMO 等场景中难以满足需求,更适用于 Sub-6GHz 以下的低频段传统通信系统。 三、线性度与 DPD 依赖:LDMOS 以稳定性为基,GaN 需算法补偿非线性缺陷LDMOS 的线性优势LDMOS 的非线性特性相对温和,内存效应较弱,在中等功率输出时能保持稳定的线性度,其 EVM 和 ACLR 表现对 DPD 技术的依赖程度较低。例如,传统 LDMOS PA 在静态测试中可通过简单 DPD 满足 3GPP 规范,系统设计复杂度更低。GaN 的非线性挑战GaN PA 不仅存在常规的 AM-AM 和 AM-PM 非线性转换,还因 “电荷陷阱效应” 产生长期记忆效应,导致 PA 增益波动并使 EVM 恶化。这种效应会引发持续的信号失真,必须通过先进 DPD 算法(如电荷陷阱校正 CTS)补偿。四、热管理与可靠性:GaN 耐高温但需动态校准,LDMOS 方案更成熟GaN 的热特性与挑战GaN 具有高热导率和耐高温性能,可在更高结温下工作,有利于缩小散热系统体积。但电荷陷阱效应与温度密切相关(热去陷阱过程),需在 DPD 算法中结合温度监测动态补偿,对系统设计要求更高。LDMOS 的热管理优势LDMOS 技术成熟,热特性稳定,热管理方案简单,适合基站长时间连续运行等可靠性要求极高的场景。尽管其效率较低导致散热需求较大,但其成熟的工艺体系仍能保证稳定的 thermal management 设计。五、成本与市场定位:LDMOS 主打性价比,GaN 面向高端场景GaN 的成本与应用定位GaN 衬底(如蓝宝石、SiC)及制造工艺成本较高,芯片价格昂贵,但其在高功率、宽频带场景中的不可替代性,使其成为 5G 基站、卫星通信等高端应用的首选。随着 5G 部署加速,GaN 市场份额将逐步扩大,但当前仍受限于成本。LDMOS 的成本优势作为成熟的硅基技术,LDMOS 制造工艺完善,晶圆成本低,适合大规模生产,在中低功率、低频段应用中性价比突出,目前仍占据 4G 基站 PA 的主要市场。六、核心应用场景对比维度GaN PALDMOS PA效率超过 50%(5G 宽频场景)传统场景下低于 50%、带宽支持 200MHz 以上低频段(Sub-6GHz)为主DPD 需求需复杂算法(如 GMP+CTS)、简单 DPD 即可满足、典型应用5G 基站(毫米波 / Sub-6GHz)、雷达4G 基站、广播电视发射七、总结:技术迭代中的互补与竞争LDMOS 和 GaN 在无线通信领域呈现 “分场景主导” 的格局:LDMOS 凭借成熟度和成本优势,在 4G 及低频段应用中持续发挥作用;GaN 则以高效率和宽频特性成为 5G 及未来通信技术的核心支撑,但需通过先进 DPD 算法(如 CTS)克服非线性缺陷。随着 5G 网络部署加速,二者的技术融合(如 GaN 工艺优化与 DPD 算法升级)将共同推动系统性能提升,而成本与效率的权衡仍将是技术选型的核心考量。 来源:射频通信链

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