在微波与射频电路领域,传输线的设计与选择直接影响系统性能。微带线(Microstrip)、带状线(Stripline)和共面波导(Coplanar Waveguide, CPW)作为三种典型的平面传输线结构,凭借其可集成性和低成本优势,在各类射频系统中应用广泛。以下将从结构特点、传输特性、性能差异及应用场景等方面对三者进行全面解析。
微带线起源于 20 世纪 50 年代,由 D.D. Grieg 和 H.F. Engelmann 在巴雷特带状线基础上改进而来。其基本结构为:介质基片(如 FR4、罗杰斯材料)上铺设金属带(信号导体),基片另一侧为完整接地平面。这种 “单面板” 设计使其成为最早实现平面集成的传输线之一。
模式特点:工作在准 TEM(Quasi-TEM)模式,因介质与空气的边界效应,电场和磁场存在纵向分量,导致频率相关的色散特性。
关键参数:
有效介电常数(ε_eff):综合空气和介质的影响,公式为
其中 h 为基片厚度,W 为线宽。
特性阻抗(Z₀):当
;
损耗机制:包含导体损耗(铜箔电阻与趋肤效应)、介质损耗(基片 tanδ)和辐射损耗(开放结构导致边缘场辐射)。
优势:工艺简单、成本低,便于集成有源器件,适合高频电路小型化设计。
不足:辐射损耗随频率和基片厚度增加而增大,需通过金属屏蔽或高介电常数基片(如 ε_r >5)抑制。
带状线由巴雷特在 20 世纪 50 年代提出,采用三层对称结构:中心导体带被夹在上下两层接地平面之间,整个区域填充单一介质(空气或 dielectric)。这种 “三明治” 设计使其成为同轴电缆的平面化变体。
模式特点:理想 TEM 模式,电场和磁场完全垂直于传播方向,无截止频率,非色散特性。
关键参数:
特性阻抗(Z₀):近似公式为
其中 We 为有效线宽,(We/W>0.35) 时取 (We=W)。
传播延迟:
仅与介质介电常数相关。
损耗机制:主要为导体损耗(铜箔电阻)和介质损耗,无辐射损耗(场完全约束在接地平面内)。
优势:电磁兼容性好,辐射极低,适合高速数字电路和高隔离度射频系统。
不足:三层结构增加工艺复杂度,阻抗对介质厚度公差敏感,不适合超高频段(毫米波)小型化。
CPW 由 Cheng P. Wen 于 1969 年发明,特点是信号导体与两侧接地平面位于同一层,中间以窄缝隔离。这种 “同层三导体” 结构打破了微带线和带状线的分层限制,为平面集成开辟新路径。
模式特点:准 TEM 模式,磁场呈椭圆极化,高阶模式抑制能力优于微带线。
关键参数:
有效介电常数(ε_eff):约为介质介电常数的平均值,色散特性弱,公式为
特性阻抗(Z₀):由中心带宽度 W 和缝隙宽度 s 决定,阻抗范围宽(20Ω-250Ω),适合高阻抗设计。
损耗机制:导体损耗(边缘电流密度高)、介质损耗,辐射损耗低于微带线(场集中于介质)。
优势:同层接地便于跨层互联,适合毫米波电路和三维集成,串扰低(接地平面隔离相邻线)。
不足:缝隙工艺精度要求高,导体粗糙度对损耗影响显著,需通过金属化过孔(Via)抑制寄生槽线模式。
维度 | 微带线(Microstrip) | 带状线(Stripline) | 共面波导(CPW) |
结构 | 单层信号带 + 底层接地平面,介质上表面暴露于空气 | 三层结构(信号带夹于上下接地平面之间),介质全包裹 | 同层信号带 + 两侧接地平面,缝隙隔离,介质全支撑 |
传输模式 | 准 TEM(混合模式),存在纵向场分量 | TEM(纯横电磁波),无纵向场分量 | 准 TEM,磁场椭圆极化,高阶模式抑制性好 |
特性阻抗 | 与 W/h、εr 相关,典型值 50Ω-100Ω | 与 b/W、εr 相关,阻抗对厚度敏感 | 与 W/s、εr 相关,阻抗范围宽(20Ω-250Ω) |
损耗 | 导体损耗 + 介质损耗 + 辐射损耗(高频显著) | 导体损耗 + 介质损耗(无辐射) | 导体损耗 + 介质损耗(辐射低于微带线) |
辐射特性 | 开放结构,辐射损耗随频率和 h 增加而增大 | 封闭结构,几乎无辐射 | 半封闭结构,缝隙约束场分布,辐射较低 |
工艺兼容性 | 单层布线,成本低,适合 FR4 等低成本材料 | 多层压合,需高精度介质厚度控制 | 同层刻蚀,需控制缝隙精度,适合高频板材(如罗杰斯) |
典型应用 | 射频前端、微波滤波器、天线馈线 | 高速数字背板、多层 PCB 阻抗控制、低辐射组件 | 毫米波电路、MEMS 器件、射频集成电路(RFIC)互联 |
适用场景:消费电子(WiFi、蓝牙模块)、业余无线电设备、低频段(<10GHz)射频电路。
选型要点:选择高 εr 基片降低辐射,控制基片厚度 h<λ/10 以减少边缘场效应。
适用场景:军事通信设备、医疗设备(需电磁兼容)、多层 PCB 中的高速差分走线。
选型要点:优先采用空气介质或低损耗 dielectric(tanδ<0.001),通过金属化过孔抑制平行板模式。
适用场景:5G 毫米波天线、射频 MEMS 开关、片上系统(SoC)射频前端。
选型要点:采用窄缝(s<10μm)和高电导率金属(如银),配合接地过孔阵列(间距 <λ/8)抑制寄生模式。