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SIW 背腔结构的天线单元实现宽带的新方法

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理想的阵列天线单元需满足:低剖面、紧凑、易制造;高隔离度以减少扫描盲区和相位误差;易于集成;辐射特性一致;设计简单,可覆盖宽频段或多子频段。

设计大型相控阵时,单元间隔离度是目前很关键的问题。已有很多方法增加阵列天线单元之间的耦合,其中通过侧壁抑制耦合的SIW结构,成为一种有效解决方案。

目录



   
  • 基于SIW背腔结构的模式分析    
  • SIW结构中虚拟短路的实现    
  • 参考文献    



SIW

As shown below👇

基于SIW背腔结构的模式分析

以往常用的高阶模(HOM)腔体可以增加带宽,但会引起天线尺寸过大,难以扩展到二维阵列。

其他增加带宽的方法有将相邻天线耦合为“子阵列”,通过耦合模式分裂增加带宽。类似地,多层耦合腔体也被用来产生更多耦合辐射模式。尽管子阵列和多层腔体可以扩展到大型阵列,但由于单元间强耦合,难以实现相位控制,且设计和重构为多子频段较为复杂。

分析腔体或者槽缝的模式对带宽扩展很有意义,

如图所示,假设短路位置可以沿着槽缝移动,那么当短路在向中心靠近时,谐振模式的频率会逐渐增加,直到达到其最大值2𝑓0。

这2𝑓0模式与第一个高阶模式的矩形槽相同,没有短路。这种模式是不可取的,因为它会沿着侧边生成一个null。对于纯侧辐射,那么最大期望共振限制在3/2𝑓0。在此条件下,单个侧辐射槽天线的最大连续工作频带可以从𝑓0到3/2𝑓0,相当于40%的分数带宽。




SIW结构中虚拟短路的实现

实现40%的带宽需要存在一个可以任意控制的虚拟的短路。

上图所示的T形CBSA(带馈电)的模式分布显示四种模式覆盖20-30 GHz频段。

这些模式相互作用生成虚拟短路。模式1和2在18-24 GHz占主导;模式1、2和3在24-26 GHz占主导;所有模式在27 GHz附近占主导;模式2、3和4在28 GHz以上占主导。模式2与模式1、3结合可产生虚拟短路,且其显著性在整个频段内较高。

该结构支持四种耦合谐振,虚拟短路位置可通过优化控制。



参考文献



   

[1] T. Deckmyn et al., "A Novel 60 GHz Wideband Coupled Half-Mode/Quarter-Mode Substrate Integrated Waveguide Antenna," in IEEE Transactions on Antennas and Propagation, vol. 65, no. 12, pp. 6915-6926, Dec. 2017, doi: 10.1109/TAP.2017.2760360. 

[2] A. V. Muppala and K. Sarabandi, "An Ultra-Wideband Quad-Mode SIW Cavity-Backed Slot Antenna for NextG Communication and Sensing Arrays," in IEEE Transactions on Antennas and Propagation, doi: 10.1109/TAP.2025.3533903.

来源:微波工程仿真
ACTANSA控制
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首次发布时间:2025-07-16
最近编辑:9小时前
周末--电磁仿真
博士 微波电磁波
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