ε̇ = σ/E + B₁D₁(σ/E) + B₂D₂(σ/E) [公式(1)]
其中:
ε̇ = 总应变率 (1/sec)
σ = 应力 (MPa)
E = 弹性模量 (MPa) = 56000 - 88T
T = 温度 (K)
B₁ = 1.70×10¹² 1/sec
B₂ = 8.90×10⁻⁴ 1/sec
D₁ = exp(-5413/T)
方程(1)中的左边第二项表示晶界滑移(GBS)蠕变应变,第三项表示基体蠕变(MC)应变。
ε̇ = σ/E + A₁D₁(σ/σₙ)ⁿ + A₂D₂(σ/σₙ)² [公式(2)]
其中:
ε̇ = 总应变率 (1/sec)
σ = 应力 (MPa)
E = 弹性模量 (MPa) = 59533 - 66.667T
T = 温度 (K)
A₁ = 4.0×10⁻⁴ 1/sec
A₂ = 1.0×10⁻¹² 1/sec
D₁ = exp(-3223/T)
D₂ = exp(-7348/T)
σₙ = 1 MPa
方程(2)中的左边第二项表示攀移控制蠕变应变,第三项表示组合滑移/攀移应变。Syed将这个蠕变模型应用于开发其他寿命预测模型。对其他材料采用已发表的材料特性[6]。
表1 材料参数
网格密度敏感性是有限元分析中处理不相似材料时的一个关键问题。这源于焊点与铜焊盘界面处的边缘奇异性。因此,该接口处的最大应力值取决于网格密度。为了最小化这种奇异性的影响,文献[7]使用了一种广泛采用的技术,即在焊点与铜焊盘界面沿薄层进行体积平均。在疲劳模型中,Darveaux使用了一个30微米厚的层。在本基于断裂力学的模型中,在焊球的两侧使用了25微米厚的层,并采用细化网格对这两层的单元进行建模,如图2(b)所示。模型结果在这些单元的厚度方向上进行平均,包括累积等效蠕变应变(记为CECD)、累积应变能密度(EQDEN)和Von Mises应力。