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ESD放电模型:HBM&IEC61000-4-2&ISO10605差异对比

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大家好,我是硬件微讲堂。这是我第114篇原创文章。

上周在公 众号上提了一个问题,有不少同学在评论区参与讨论,感谢各位的积极参与。同学们的真知灼见,已经把问题的重点说出来。今天我们就来聊一聊这个问题。



  01 一道问题  



照例,先抛出一道问题:为什么芯片标称可以支持到8kV,但实际产品做ESD测试,却扛不住8kV?


这个问题,可浅可深。搞清楚这个问题,需要对静电测试有一定的了解。如果是没接触过的,可能会一脸懵。

  02 ESD相关标准的差异  


ESD标准分器件级和系统级。网上关于这部分的文章很多,小编这里就不展开介绍,简明扼要,提一下。

器件级ESD标准主要参考JEDEC,主要有HBM(Human Body Model)、MM(Machine Model)、CDM(Charged Device Model)三种模式。系统级ESD标准主要有IEC61000-4-2和ISO10605。小编整理了不同标准间的主要差异,具体如下:


在上图的基础上,我们需要重点关注不同应用场景下的放电模型。不同放电模型在储能电容、放电电阻、峰值电流等参数存在差异。

以IEC6100-4-2标准为例,其中有明确定义ESD放电模型以及模型中各参数的范围,如下图所示:


Cd+Cs:储能电容,模拟人体电容;
Rd:放电电阻 。

在JEDEC的HBM模型下,储能电容取值为100pf,放电电阻取值为1.5kΩ。而在IEC61000-4-2中,储能电容取值为150pf,放电电阻取值为330Ω。可到了ISO10605中,又变了!!!

ISO10605标准中定义的ESD储能电容和放电电阻取值如下,共有4种:150pf/330Ω,150pf/2kΩ,330pf/330Ω,330pf/2kΩ,分别针对汽车上不同的应用场景。


不仅如此,测量的电压也有区别。IEC61000-4-2只定义了2kV~15kV,其中接触放电是2kV~8kV,空气放电是2kV~15kV。而ISO10605是定义了2kV~25kV,其中接触放电还是2kV~8kV,而空气变成了2kV~25kV。说明汽车场景对ESD的要求等级更高。下图为IEC61000-4-2的ESD电压范围。


鉴于各个标准的差异项比较多,为了方便同学学习,小编已经默默把关键差异点整理出来,直接看下表即可,重点都在这里了!(敲黑板!!!)


PS:峰值电流一定是在某个电压条件下。因此提到峰值电流,需要明确对应的电压条件。上表只是列出了在某电压下对应的峰值电流,并不代表全电压范围的最大峰值电流。

  03 关注ESD的峰值电流  


仔细看上表最右边一列的峰值电流,发现:
①HBM模式在8kV时,峰值电流为5.33A;
②IEC61000-4-2在8kV时,峰值电流为30A;
③ISO10605的330pf/330Ω时,峰值电流为30A;
我们再看下电流的波形,同样是8kV,差异挺大!

(图片来自网页链接:https://www.esdguns.com/images/Human-Body-Model-vs-IEC-61000-4-2.pdf)

聊到这里,又产生一个新问题,峰值电流怎么出来的呢?

下图为IEC61000-4-2标准中给出的电流计算公式,是由两个函数曲线叠加生产。看着公式很复杂,实际计算起来一点也不简单!


说实话,上面的一堆公式,小编也不太会。那有没有简单粗暴的估算方式呢?注意这里只是“估算”。小编没有找到直接的说明材料,索性咨询下AI,给出的答复如下。针对上述答复的正确性,小编不做评判,各位同学也请抱着辩证的态度来看。

以HBM的150pf/1.5kΩ为例,峰值电流Ip可以近似估算为:


再以ISO10605的330pf/330Ω为例,峰值电流Ip可以近似估算为:


实际测量值更高(~30 A),因放电回路的寄生电感会导致电流振荡。


当再追问到“ISO10605使用330pf 2000Ω的模型,打8kV,峰值电流是多少”时,给出的答复峰值电流为4~6A。这里应该是和ISO10605标准有出入的,因为在ISO10605里面有给出330pf/150pf,2000Ω,5kV的电流曲线,峰值电流在18A左右,如下图。 


  04 再看Datasheet  


说到这里,再回头看文章开头的问题:芯片标称可以支持到8kV,但实际产品做ESD测试,却扛不住8kV?


如上图,芯片规格上标称支持8kV,实际规格书上写的很清楚是HBM模式(100pf/1.5kΩ)下,可以支持到8kV,此时所承受的峰值电流只有5.33A。而如果实际产品做ESD测试,是按照系统级进行测试,150pf/330Ω,在8kV时,峰值电流达到30A。如下图所示,我们可以明显看出Ipk-HBM和Ipk-IEC总是相差5.6倍

图片来自网页链接:https://www.renesas.cn/zh/document/oth/tb505-understanding-difference-between-hbm-and-iec-61000-4-2-esd-immunity?language=en)

从上图中可以看出,8kV HBM模式的8kV峰值电流是5.33A,而IEC61000-4-2的2kV峰值电流是7.5A。这样HBM-8kV的芯片可能因为2kV的IEC模型ESD脉冲而击穿损坏。

由此,我们再看文章开头规格书的截图,其实已经说明了芯片虽然HBM能支持到8kV,但所能达到的ISO10605 ESD等级是6kV。如果非要按照ISO10605 8kV去打ESD,那就必须要外加ESD防护器件,否则肯定会出问题!


因此,切记不能将HBM的ESD等级和IEC61000-4-2或ISO10605的ESD等级混淆!

 05 总  结  


先聊到这里,梳理下今天讨论的内容:

①简单介绍了不同ESD标准的差异项;
②重点说明了不同ESD标准下峰值电流差异;
③简述峰值电流的计算和估算(请辩证来看);
④回复文章开头问题,区分HBM-IEC-ISO的ESD等级;

参考文档:
《IEC61000-4-2-2008》
《ISO 10605-2008》(汽车电子防静电_英文版)
《ISO 10605 道路车辆静电放电所产生电气干扰的测试方法》
《Human-Body-Model-vs-IEC-61000-4-2.pdf》
《Understanding the Difference between HBM and IEC 61000-4-2 ESD Immunity》
《系统级 ESD 电路保护设计考虑因素》


来源:硬件微讲堂
电路汽车电子芯片UM材料储能Unity电气
著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2025-05-18
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