800V高压DCAC驱动板IGBT的热仿真
发布时间：2026-02-01 13:11:24
简介
一.技术参数
1.分析类型：稳态热仿真
2.材料：Cooler：ADC12
3.边界条件：Ambient temperature：85℃
Cooler face temperature:75℃
Air Convention:10W/(m²·K)
4.载荷：IGBT PowerLoss=30W/chip
Diode PowerLoss=10W/chip
一.技术参数
1.分析类型：稳态热仿真
2.材料：Cooler：ADC12
3.边界条件：Ambient temperature：85℃
Cooler face temperature:75℃
Air Convention:10W/(m²·K)
4.载荷：IGBT PowerLoss=30W/chip
Diode PowerLoss=10W/chip
