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IGBT内部结构拆解及各材料导热系数

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传统 IGBT 模块的结构剖面图如图 1 所示,通过陶瓷衬板实现芯片与外部的绝缘,基板起到散热、支撑及与外部散热器接触的作用,通过铝引线键合、焊料层实现电学互连和连接。

图 1 传统 IGBT 模块结构剖面图

其中模块的铝键合引线与芯片的键合点较小,芯片工作中产生的热量主要通过热传导的方式由芯片向基板单向传递,在此过程中会遇到一定的阻力,称为导热热阻。芯片到壳体的热阻 Rth j-c是散热路径上各层材料热阻的串联之和。
以下为实物进行拆解后的内部结构图及相应材料的厚度和导热系数。导热系数为通过多次仿真与测试的结果进行比对,得出的经验值,仅供参考。


Component

W/(mK)

thickness/um

Chip

Si

IGBT S7/L7 96um

diode 96um

Solder

57

110 um

Top Cu

380

300 um

Al2O3

24

380 um

Bottom Cu

380

300 um

System Solder

57

230 um

Baseplate cu

380

3000um

注:IGBT内部有填充透明封装材料。

Component

W/(mK)

thickness/um

Typical Plastic Package

5

3000

Chip

Si

IGBT S7/L7 96um

diode 96um

Solder

57

110 um

Top Cu

380

2030 um

-END-

电机电力电源电磁基础Flotherm
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首次发布时间:2021-03-26
最近编辑:3年前
做个热设计
本科 | 热设计工程师 公粽号:做个热设计
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做个热设计
公粽号:做个热设计
3年前
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