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基于 ADS 的系统仿真搭建完整流程

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一、新建系统项目与原理图

打开 ADS 软件,执行【File】→【New】→【System Project】命令,创建新的系统项目;

在项目中新建原理图文件(Schematic),进入原理图编辑界面,为后续搭建 RF 接收系统做准备。

二、搭建基于行为模型的 RF 接收系统

1. 添加 Butterworth 带通滤波器

在元件模型列表窗口中,展开【Filters】→【Bandpass】分类,选择并插入 Butterworth 滤波器(Btrwrth)。          
参数设置如下:

中心频率 Fcenter = 1.9GHz;

通带带宽 BWpass = 200MHz;

阻带带宽 BWstop = 1.0GHz;

通带波纹 Apass = 3.0103dB;

阻带衰减 Astop = 40dB。

2. 添加放大器

在元件模型列表窗口中,展开【System】→【Amps&Mixers】分类,选择并插入放大器(Amplifier),命名为 AMP1。          
参数设置如下: 

正向传输系数 S21 = dbpolar (20, 0)(表示 20dB 增益,相位 0°);

输入反射系数 S11 = polar (0, 0);

输出反射系数 S22 = polar (0, 180);

反向传输系数 S12 = 0(忽略反向信号);

噪声系数 NF = 7dB。

 

3. 添加 S 参数分析模型

执行【Insert】→【Template】命令,在弹出的 “Schematic Design Templates” 对话框中,选择【ads_templates:S_Params】模板,插入 S 参数分析模型,用于后续 S 参数仿真。

注意事项

Butterworth 滤波器的行为模型为理想模型,通带内无波纹;若替换为滤波器与放大器的实际电路模型,系统通带内会出现波纹。若需设计带波纹的系统滤波器,可选用【Bandpass】分类下的椭圆滤波器(Elliptic)行为模型。

4. 添加混频器(Mixer)与本振(LO)相关设置

a) 插入混频器

在元件模型列表窗口【System】→【Amps&Mixers】分类中,插入混频器(Mixer,非 Mixer2),命名为 MIX1。          
⚠️ 注意:Mixer2 用于非线性分析,此处需选择基础版 Mixer。

b) 配置混频器参数

转换增益 ConvGain = dbpolar (3, 0)(3dB 增益,相位 0°);

边带选择 SideBand = LOWER(取混频器输出的低端边带);

输入反射系数 S11 = polar (0, 0);

输出反射系数 S22 = polar (0, 180);

本振端口反射系数 S33 = 0。

c) 调整组件文字位置

可按下 F5 键,鼠标点击原理图上组件的文字标签(如参数名称、组件编号),拖动至合适位置,避免文字重叠影响可读性。

5. 添加本振信号源与阻抗匹配

在元件模型列表窗口中,展开【Sources】→【Freq Domain】分类,插入 V_1Tone 信号源(命名为 SRC1)、50Ω 电阻(R1)及接地符号,构成本振信号回路,提供 100MHz 中频输出。          
V_1Tone 信号源参数:

信号幅度 V = polar (1, 0) V;

信号频率 Freq = 1.8GHz(作为本振频率);

电阻 R1 阻值 = 50Ω(匹配系统阻抗)。

6. 添加 Bessel 低通滤波器

在元件模型列表窗口【Filters】→【Lowpass】分类中,插入 Bessel 低通滤波器(LPF_Bessel),命名为 LPF1,连接至混频器输出端,用于滤除中频以外的高频成分。          
参数设置:通带频率 Fpass = 200MHz,通带波纹 Apass = 3dB。

7. 添加端口终端(Term)

在原理图的信号输入端(port1)和低通滤波器输出端(port2)分别插入端口终端(Term),命名为 Term1 和 Term2,设置阻抗 Z = 50Ω,匹配系统特征阻抗。

三、配置带频率转换的 S 参数仿真

1. 插入 S 参数仿真控制器

在元件模型列表窗口【Simulation】→【S_Params】分类中,插入 S 参数仿真控制器(图标为 “控制齿轮”),命名为 SP1。

2. 配置仿真频率参数

双击 SP1 打开参数设置窗口,在【Frequency】标签页中

设定频率范围:Start = 1.0GHz,Stop = 3.0GHz;

频率步长 Step = 100MHz;

勾选 “Enable AC frequency conversion”(启用 AC 频率转换)。

3. 设置参数显示选项

切换至【Display】标签页,勾选 “FreqConversion” 和 “FreqConversionPort” 两项,使该参数在原理图上显示,便于后续检查配置。

    

4. 配置仿真数据集与运行仿真

a) 打开仿真设置界面

点击菜单栏【Simulate】→【Simulation Setup】,弹出 “Simulation Setup” 对话框。

b) 命名数据集

在【Dataset】栏中,将默认数据集名称修改为 “rf_sys_10dB”(表示该仿真对应放大器增益为 10dB 的系统)。

c) 运行仿真

点击【Apply】保存设置,再点击【Simulate】启动 S 参数仿真,等待仿真完成。

    

四、绘制与分析 S21 数据

1. 插入 S21 图形

仿真完成后,自动弹出数据显示窗口(Data Display),执行【Insert】→【Plot】→【Rectangular Plot】命令,插入矩形图。

2. 配置 S21 数据显示

在 “Plot Traces & Attributes” 对话框中:

选择数据集 “rf_sys_10dB”;

选择待显示参数:S [2,1](即 S21,端口 2 到端口 1 的正向传输系数);

设置单位为 “dB”,点击【Add】添加轨迹。

 

3. 添加标记点

点击工具栏【Marker】→【New Marker】,在频率 1.9GHz 处添加三角标记(m1),读取该频率下的 S21 值(约 12.313dB,为混频器转换增益减去失配损耗后的结果)。

五、验证放大器增益对系统的影响

1. 修改放大器增益参数

返回原理图,双击放大器 AMP1,将 S21 修改为 dbpolar (20, 180)(增益提升至 20dB)。

    

2. 重新配置仿真数据集

再次执行【Simulate】→【Simulation Setup】,将数据集名称修改为 “rf_sys_20dB”,点击【Apply】→【Simulate】启动仿真。

3. 处理数据集提示

仿真完成后,弹出 “Default Dataset” 提示框(询问是否将默认数据集从 “rf_sys_10dB” 改为 “rf_sys_20dB”),点击【No】

    

4. 叠加显示 20dB 增益的 S21 曲线

在数据显示窗口中,双击原 10dB 增益的 S21 曲线,打开 “Plot Traces & Attributes” 对话框:

选择数据集 “rf_sys_20dB”;

再次添加 S [2,1] 参数(单位 dB),点击【OK】。

    

5. 分析增益差值

在 20dB 增益的 S21 曲线上添加标记点 m2(1.9GHz 处),执行【Marker】→【Delta Mode On】启用差值模式,可观察到两曲线在 1.9GHz 处的差值约为 10dB(与放大器增益调整量一致),验证仿真结果的合理性。

6. 保存数据

点击菜单栏【File】→【Save】,保存数据显示窗口的配置与仿真结果。

    

六、配置含相位噪声的本振(LO)与 RF 源

1. 保存新设计

执行【File】→【Save Design As】,将当前原理图另存为 “rf_sys_phnoise”(用于后续相位噪声相关仿真,避免覆盖原设计)。

2. 删除冗余组件

在新原理图中,删除以下组件: 

S 参数仿真控制器(SP1);

本振信号源(V_1Tone)、50Ω 电阻(R1)及接地符号。

3. 替换输入端口为 P_1Tone 源

在元件模型列表窗口【Simulation】→【LSSP】分类中,插入 P_1Tone 信号源(替代原 Term1),命名为 “RF_source”,作为 RF 输入信号源。          
参数设置:

信号频率 Freq = 1.9GHz;

信号功率 P = polar (dbmtow (-40), 0)(将 - 40dBm 转换为线性功率值);

端口编号 Num = 1;

阻抗 Z = 50Ω。

4. 添加输出节点标记

使用快捷键(如 “N” 键),在低通滤波器(LPF1)的输出端插入导线标记,命名为 “Vout”(用于后续监测该节点的电压信号)。 

5. 插入带相位噪声的振荡器

在元件模型列表窗口【Sources】→【Freq Domain】分类中,插入带相位噪声的振荡器(OSCwPhNoise),命名为 OSC1,连接至混频器的本振端口。          
参数设置:

振荡频率 Freq = 1.8GHz(与原 LO 频率一致);

输出功率 P = dbmtow (0)(0dBm);

输出阻抗 Rout = 50Ω;

相位噪声 Phase Noise = list (10Hz, -10dB, 100Hz, -20dB, 1kHz, -30dB, 10kHz, -40dB)(表示不同频偏下的相位噪声值)。          
⚠️ 注意:OSCwPhNoise 自带 50Ω 电阻,无需额外添加,功能与 “V_1Tone+50Ω 电阻” 一致,但增加了相位噪声特性。 

七、配置谐波噪声控制器(NoiseCon)

1. 插入 NoiseCon 组件

在元件模型列表窗口【Simulation】→【HB】分类中,插入噪声控制器(NoiseCon),命名为 NC1。          
⚠️ 注意:NoiseCon 需与 HB(谐波平衡)仿真配合使用,可将仿真控制与噪声测量分离,支持多组噪声测量配置。

 

2. 配置噪声频率参数

双击 NC1 打开参数设置窗口,在【Freq】标签页中:

扫类型 Sweep Type = Log(对数扫频);

频率范围:Start = 10Hz,Stop = 10.0kHz;

每十倍频点数 Pts./decade = 5(总点数 16)。

 

3. 关联噪声测量节点

切换至【Nodes】标签页:

点击 “Pos Node” 下拉框,选择之前添加的 “Vout” 节点;

点击【Add】将 Vout 添加为噪声测量节点。

 

4. 配置相位噪声参数

切换至【PhaseNoise】标签页:

相位噪声类型 Phase Noise Type = Phase noise spectrum(相位噪声谱);

载波频率 Carrier Frequency = 100MHz(即系统中频频率,带 LO 引入的相位噪声)。

 

5. 设置参数显示选项

切换至【Display】标签页,勾选 “CarrierFreq”“PhaseNoise”“NoiseNode” 三项,使该参数在原理图上显示,便于检查配置。          
(对应噪声控制器最终配置截图,展示原理图上显示的参数:NLNoise Start=10Hz、NLNoise Stop=10.0kHz、CarrierFreq=100MHz、NoiseNode [1]=Vout 等)

 

最后显示的噪声控制器设置如下图所示。

 

八、配置谐波平衡(HB)仿真

1. 插入 HB 仿真控制器

在元件模型列表窗口【Simulation】→【HB】分类中,插入谐波平衡仿真控制器(图标为 “HB”),命名为 HB1。

2. 配置基波频率

双击 HB1 打开参数设置窗口,在【Freq】标签页中:

点击【Add】添加第一个基波频率:Frequency = 1.8GHz(本振 LO 频率),Order = 3(谐波次数);

再次点击【Add】添加第二个基波频率:Frequency = 1.9GHz(RF 信号频率),Order = 3;

最大混频次数 Maximum mixing order = 4(用于计算电路中的混频产物,包括 100MHz 中频)。          
⚠️ 注意:无需额外指定中频频率,HB 仿真会根据基波频率、谐波次数及混频次数自动计算中频(1.9GHz - 1.8GHz = 100MHz)。

 

3. 设置参数显示选项

切换至【Display】标签页,勾选 “MaxOrder”“Freq [1]”“Freq [2]”“Order [1]”“Order [2]” 五项,使参数在原理图上显示。

4. 关联噪声控制器

切换至【Noise】标签页:

在 “NoiseCons” 栏中,点击【Edit】,选择之前配置的噪声控制器 “NC1”;

点击【Add】将 NC1 关联至 HB 仿真,使 HB 仿真包含噪声分析。

 

5. 检查最终原理图

最终原理图组件连接关系如下:          
RF_source(1.9GHz,-40dBm)→ Butterworth 带通滤波器 → 放大器(20dB)→ 混频器 → Bessel 低通滤波器 → Term2;          
OSCwPhNoise(1.8GHz,带相位噪声)→ 混频器本振端口;          
HB1(谐波平衡控制器)与 NC1(噪声控制器)关联,监测 Vout 节点噪声。

 

九、运行 HB 仿真与分析结果

1. 分析相位噪声谱(pnmx)

a) 插入相位噪声谱图

仿真完成后,在数据显示窗口执行【Insert】→【Plot】→【Rectangular Plot】,插入矩形图。

b) 配置相位噪声数据

在 “Plot Traces & Attributes” 对话框中:

选择数据集 “rf_sys_phnoise”;

选择参数 “pnmx”(相位噪声最大值);

设置 X 轴单位为 “Log”(对数坐标),Y 轴单位为 “dBc”(相对于载波的分贝数)。

c) 添加频偏标记

插入标记点(如 m1),观察 1kHz 频偏下的相位噪声值(约 - 30dBc,与振荡器相位噪声设置一致)。          
(对应相位噪声谱截图,X 轴为频偏(10Hz~10kHz,对数坐标),Y 轴为 pnmx(dBc),标记点显示 1kHz 处的具体数值)

2. 分析 Vout 节点电压(中频信号)

a) 插入 Vout 频谱图

再次插入矩形图,在 “Plot Traces & Attributes” 对话框中:

选择数据集 “rf_sys_phnoise”;

选择参数 “Vout”,设置单位为 “dBm”(功率单位)。

b) 验证中频信号功率

在 100MHz(中频)处添加标记点(如 m1),读取 Vout 功率值(约 - 17dBm)。          
⚠️ 理论计算:RF 输入功率(-40dBm)+ 放大器增益(20dB)+ 混频器转换增益(3dB)- 系统损耗(约 6dB)= -17dBm,与仿真结果一致,验证仿真正确性。

    

b. 储存。你现在已经完成了设计RF接收器的第一步,在下面的章节中,你将用电路替换系统模型组件。

十、选学:SDD(符号定义元件)仿真

SDD(Symbolically Defined Device,符号定义元件)允许通过方程定义线性 / 非线性元件的节点特性,本部分通过 SDD 实现混频器功能,演示其灵活的参数化设计能力。

1. 保存新设计

执行【File】→【Save Design As】,将 “rf_sys_phnoise” 另存为 “rf_sys_sdd”,避免覆盖原设计。

2. 替换混频器为 3 端口 SDD

a) 删除原有混频器

删除原理图中的 MIX1(原混频器)。

b) 插入 3 端口 SDD

在元件模型列表窗口【Eqn Based】→【Nonlinear】分类中,插入 3 端口 SDD(SDD3P),命名为 SDD3P1。

3. 定义 SDD 方程(实现混频功能)

双击 SDD3P1 打开方程编辑窗口,修改节点电流方程,实现 “无转换增益的混频器” 功能(输出差频与和频):

I [1,0] = (_v1)/50.0(RF 端电流方程,_v1 为端口 1 电压,50Ω 为匹配阻抗);

I[2,0] = (_v2 - _v1*_v3)/50.0(IF 端电流方程,_v1*_v3 表示 RF 与 LO 电压相乘,实现混频;_v2 为端口 2 电压,输出差频(1.9GHz-1.8GHz=100MHz)与和频(1.9GHz+1.8GHz=3.7GHz));

I [3,0] = (_v3)/50.0(LO 端电流方程,_v3 为端口 3 电压)。          
⚠️ 注意:方程中 “_v1*_v3” 表示电压乘积(混频核心),非平方运算,需严格遵循 SDD 方程语法。

4. 运行 HB 仿真与分析 Vout 频谱

a) 启动 HB 仿真

保持 HB1 与 NC1 的配置不变,点击【Simulate】→【Run】启动仿真。

b) 配置瞬态仿真参数

双击 Tran1:

停止时间 StopTime = 4/100MHz = 40ns(覆盖 4 个中频周期);

最大时间步长 MaxTimeStep = 1/(2*1800MHz) ≈ 277ps(满足奈奎斯特采样定理)。

c) 分析瞬态仿真结果

仿真完成后,在数据显示窗口插入矩形图,输入公式 “dbm (fs (Vout))”(通过傅里叶变换(fs)将时域 Vout 转换为频域,并计算功率),结果与 HB 仿真的 Vout 频谱一致(100MHz 与 3.7GHz 信号清晰可见),验证 SDD 模型的正确性。

十一、总结

本流程从基础的 RF 接收系统搭建(行为模型),逐步深入至 S 参数仿真、相位噪声分析,最后通过 SDD 仿真拓展参数化设计能力,覆盖 ADS 系统仿真的核心环节:

组件选择与参数配置:重点关注滤波器、放大器、混频器的关键参数(如中心频率、增益、边带选择);

仿真控制器配置:S 参数仿真(频率转换)、HB 仿真(谐波与噪声)、瞬态仿真(时域验证)的核心参数设置;

结果分析:通过标记点、差值模式、理论计算验证仿真结果的合理性,确保设计正确。

通过本流程,可掌握 ADS 系统级仿真的基本方法,为后续基于实际电路模型的 RF 系统设计与优化奠定基础。

 
 

来源:射频通信链
System非线性电路系统仿真ADS通信UMECAD理论控制
著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2025-09-07
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匹诺曹
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FDD与TDD的设计区别

现代无线通信系统主要采用两种双工技术来实现全双工通信:频分双工(Frequency Division Duplexing, FDD)和 时分双工(Time Division Duplexing, TDD) 。这两种技术在工作机制上存在本质区别,直接导致了其电路设计方案的显著差异。频分双工 (FDD) 的电路设计挑战与关键器件 原理特征: FDD系统需要两个独立的频率信道 ,一个专用于下行(发射,Tx),另一个专用于上行(接收,Rx)。收发信号在不同的频点上同时进行。电路设计特点: FDD的收发通道在物理上是完全独立的,包括射频链路(如LNA、PA、滤波器)和基带处理资源。这提供了天然的隔离基础。核心挑战:发射机宽带噪声对接收机的干扰。理论分析: 发射机产生的噪声并不仅限于其工作信道内。其输出频谱包含:有用信号: 集中在载波频率f_tx附近。杂散和谐波: 离散的、频率相关的干扰成分。宽带噪声: 在很宽的频率范围内(包括接收频带f_rx),呈现为连续的、平坦的噪声基底。其来源主要包括:信号源(如DAC)的本底热噪声被各级放大器放大。本振(LO)的相位噪声经混频和放大后被调制到载波上并辐射出去。功放(PA)本身的非线性也会产生宽带的互调噪声。影响机制: 未经优化的发射链路,其宽带噪声功率谱密度在f_rx处可能高达-100 dBm/Hz量级(常见于U/V频段)。即使经过空间衰减(如50m距离后降至约-160 dBm/Hz),此噪声仍会显著抬升接收机所在位置的本地环境噪声基底(Noise Floor) 。接收机灵敏度S_min = NF + kTB + SNR_min(NF为噪声系数,kTB为热噪声功率)。环境噪底提升(如10dB),相当于接收机输入端的kTB项增加10dB,直接导致接收机灵敏度劣化 ,有效通信距离缩短。关键器件:双工器(Duplexer)作用原理: 双工器本质上是一个高性能的三端口(天线、Tx、Rx)滤波器组合 。其核心功能是频率选择与隔离 :发射滤波器: 允许f_tx信号高效通过至天线,同时对f_rx频带提供极高的抑制(阻带衰减)。接收滤波器: 允许f_rx信号高效通过至接收机,同时对f_tx频带提供极高的抑制。设计依据:接收频带噪声抑制: 接收滤波器对f_tx频带(包含有用信号和宽带噪声)的抑制能力 是保护接收机免受发射机干扰(特别是宽带噪声)的关键。设计目标要求:在接收频点f_rx处,发射链路泄露过来的宽带噪声功率谱密度必须低于接收机自身的噪底(通常要求低于kTB + NF) 。这要求精确计算发射链路在f_rx处的噪声谱密度,并根据其与接收机噪底的差值(如>20dB)来确定接收滤波器在f_tx频带所需的最小抑制指标(例如:若发射宽带噪声在f_rx为-110 dBm/Hz,接收噪底要求-170 dBm/Hz,则双工器Rx端对f_tx的抑制需 > 60 dB)。发射频带带外杂散抑制: 接收滤波器还需提供足够的带外抑制,以阻挡邻近频段的干扰信号进入接收通道。发射端口抑制: 发射滤波器对接收频点的抑制隔离发射通道与接收通道。案例论证: 蜂窝移动通信(如LTE FDD, 5G n1/n3/n7/n8等频段)是FDD的典型应用。在这些系统中,双工器(如基于BAW/FBAR技术的器件)的性能(特别是f_tx到f_rx的隔离度,常要求>55dB甚至更高,以及极低的插入损耗<1.5dB)直接决定了手机的通信质量和续航能力。设计不良的双工器会导致用户处于小区边缘时因灵敏度下降而频繁掉话或速率降低。 时分双工 (TDD) 的电路设计挑战与时间要求原理特征: TDD系统在同一频率载波 上工作。下行(Tx)和上行(Rx)信号分时复用信道,通过保护时隙(Guard Period, GP) 来分离收发时段。同一时刻仅进行单向通信(半双工)。电路设计特点:资源共享: 收发通道复用 绝大部分射频前端硬件(如PA、LNA、滤波器)和基带处理资源(如ADC/DAC、处理器)。这显著降低了硬件复杂度和成本 。业务容量考量: 理论上,相同信道带宽下,FDD能提供比TDD更高的峰值速率(全双工 vs 半双工)。TDD的实际容量取决于上下行时隙配比,可以灵活适应非对称业务(如下行流量远大于上行)。核心挑战:收发切换时序与速度。理论分析: TDD系统的关键性能指标之一是切换时间(Switching Time) 。它定义了从发射结束到接收开始(或反之)所需的最小时间间隔(即保护时隙GP的一部分)。过长的切换时间会浪费宝贵的信道资源,降低系统效率。决定性因素:频率源(锁相环PLL)切换/稳定时间: 当TDD系统需要在不同频点(如不同的WiFi信道)间跳频工作时,PLL重新锁定到新频率并达到相位噪声要求的时间至关重要。即使在同一频点工作,PLL也需要在收发模式切换时维持稳定输出(避免模式切换扰动)。现代快速锁定的分数N型PLL可以在几十微秒内完成锁定。功率放大器(PA)开启/关闭(上升/下降)时间: PA从关闭/低功耗状态快速爬升到额定功率(上升时间),或从发射状态快速关闭(下降时间),必须在GP内完成。典型PA的上升/下降时间在微秒(μs)量级。功率越大的PA,其容性/感性元件储能效应越强,精确控制上升/下降沿以减小过冲(Overshoot)和振铃(Ringing)的设计难度增大 。过冲可能导致频谱泄露超标或损坏器件。关键器件:射频开关(RF Switch)作用原理: 在TDD系统中,高速、低插损的射频开关(如GaAs pHEMT或SOI CMOS开关)是实现收发通道硬件复用的核心。它在基带控制信号下,快速将天线连接到PA(发射态)或LNA(接收态)。设计依据: 开关的主要指标包括切换速度(Switching Speed) 、插入损耗(Insertion Loss) 、隔离度(Isolation) 和功率处理能力(Power Handling) 。其中,切换速度(常<1μs) 是TDD系统GP设计的关键约束之一。开关的导通/关断控制信号的上升/下降时间必须精确设计以避免毛刺和开关瞬态干扰。案例论证:WiFi (IEEE 802.11 a/b/g/n/ac/ax): TDD是WiFi的核心技术。下图展示了典型WiFi射频前端模块中PA和开关的规格书片段,其中明确标注了关键时序参数:PA规格: Enable Time (Rise Time): <1μs, Disable Time (Fall Time): <1μs,并可能包含Power-up/Down Sequence Timing Diagram和Overshoot Specification。RF开关规格: Switching Time (t_switch): <200ns, Transition Time (t_rise, t_fall): <50ns。这些参数直接决定了设备在密集接入点环境中的快速信道切换能力和吞吐量。5G TDD (如n41, n77, n78, n79频段): Massive MIMO基站和终端都采用TDD。其严格的帧结构和上下行切换点要求(如5ms半帧内包含多个时隙和切换点)对PA和开关的切换速度、时序精度提出了极高要求(达到微秒甚至纳秒级)。基站PA模块常采用复杂的数字预失真(DPD)算法,但其启动和关断时序的精确控制(包含斜坡控制Ramping Control)对避免频谱再生和邻道干扰至关重要。总结与对比:特性FDD (频分双工)TDD (时分双工)频谱使用收发独占不同频率(f_tx != f_rx)收发共享同一频率(f = f_tx = f_rx)工作方式全双工(同时收发)半双工(分时收发)核心挑战发射宽带噪声对接收的干扰收发切换速度与时序精度关键器件双工器 (Duplexer):提供高隔离 (Tx-Rx, Tx噪声-Rx), 低插损射频开关 (RF Switch):高速切换,低插损,高隔离电路特点收发通道物理独立,硬件冗余度高,设计复杂度相对高硬件高度复用(PA/LNA/滤波器/基带),成本低,复杂度较低业务特性天然对称,峰值速率高上下行时隙配比灵活,适应非对称业务设计重点抑制发射噪声、确保双工器性能控制切换时间(PLL锁定、PA开关)、精确时序典型案例4G LTE FDD (B1/B3/B7/B20), 5G FDD (n1/n3/n8)WiFi (所有版本), 5G TDD (n41/n77/n78/n79), TD-LTE (如Band 38/40/41)结论: FDD和TDD是各有优势的双工范式。FDD设计的核心在于运用高性能双工器进行严格的频率隔离 ,以克服发射机噪声对接收灵敏度的致命影响。而TDD设计则聚焦于超高速、低抖动的收发切换 ,其核心在于射频开关和功放 的快速响应能力以及频率源 的稳定切换,以满足严格的时隙边界要求。工程师在设计无线系统时,必须深刻理解这两种双工技术的原理差异及其带来的独特电路设计约束,才能选择最优方案并实现高性能、高可靠性的通信链路。 来源:射频通信链

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