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射频微波领域校招中,有哪些“学历厂”?

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大家好,这里是射频学堂,今年的秋招已经如火如荼的开始了。不过,据招聘互助群的同学反应,今年的“学历厂”越来越多了,很多厂都开始卡“双九”了,很多普通学校的同学在简历阶段就被刷下来了。今天我们一起来盘点一下射频微波领域,那些传说中的“学历厂”。


1,某疆

据同学们反应,某疆的射频,天线工程师招聘要求最低硕士;而且宣讲基本上只在清华,北大,浙大,电子科大,华科,西电等985和强211 学校。学校差一点,或者学历差一点,基本上在第一轮就淘汰了。


2,某为

某为的招聘对学历要求也很严格,网上流传着的某为招聘学校名单也绝非空穴来风,更严格的时“天才少年”的筛选,基本上集中在清华,浙大,上交,成电,华科这些学校。

另外某为某思的射频芯片工程师也最低硕士起步,目标院校集中的C9 和电子类985,以及北邮,西电等电子强211。


3,某O

群里面反馈,今年某O简历刷的非常严重,很多同学都在第一轮就淘汰了。其实,往年某O的射频岗位招聘还算可以,一些普通学校硕士也有机会拿到offer。今年可能开始卡学校了。


4,某link

据说某link也是业界知名的学历厂,并且网上流传的学校名单,包括 20 所 985 大学,如北京航空航天大学、北京理工大学、复旦大学、上海交通大学、中山大学等,以及 2 所 211 大学,即北京邮电大学和西安电子科技大学。据招聘群消息,今年的提前批,刷掉不少人。


5,高通,联发科,紫光展锐的射频IC设计岗位据说只要全球TOP100 的硕士、博士,且要求具有流片经验或者高水平论文/专利。


6,Qorvo、Skyworks、Murata、Broadcom等国际射频芯片厂目前在国内校招名额极少,一般只在清华、复旦、上交、浙大、东南大学做封闭宣讲,硕士是硬性门槛。


7,卓胜微、唯捷创芯、慧智微等国内第一梯队射频前端公司,射频 IC 设计岗 985 硕士起步,版图/测试岗会对优秀本科或者普通硕士开放。  


8, 中电 13、14、29、38、54 所,航天五院 504 所、八院 802 所等据说总体射频/微波岗原则上博士,本科必须 985 且专业对口;双非简历刷掉概率非常高。  


9,除此之外,国家级实验室,比如鹏城实验室、之江实验室、张江国家实验,乾元实验室等毫米波/射频芯片与系统方向只面向 985/211 及海外 QS Top100 的硕博生,据说卡本科,国内最好时双九 学历。  


10,是德科技 Keysight、罗德与施瓦茨 R&S等国际知名射频硬件研发岗全球名额极少,国内只在清华、电子科大、北理工、东南大学设点;硕士及以上、英语流利是硬条件 。  


11,几乎所有的射频IC设计岗位,都对学历有非常强的要求,硕士是必备门槛,最好是双9硕士/博士。  如果你想做“射频 IC 设计/高端射频系统”,请默认“硕士+985/海外 Top100”是起步配置;本科双非基本只能投版图、测试、FAE 或中小模组厂。



来源:射频学堂
射频微波航空航天电子芯片
著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2025-08-15
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50 欧姆的由来

在射频技术的发展历程中,50 欧姆作为标准阻抗的确立,绝非偶然的技术选择,而是融合了工程实践需求、科学计算验证与行业标准化推动的必然结果。这一标准的形成,不仅解决了早期射频传输中的技术矛盾,更成为支撑现代无线通信、雷达、卫星等众多领域发展的重要基石。回溯到 20 世纪 30 年代,射频技术正处于快速发展的初期阶段,同轴电缆作为当时射频信号传输的核心载体,其性能优化成为工程师们的研究重点。彼时的射频系统已开始应用于无线电通信、广播等领域,对信号传输的功率、稳定性和损耗控制提出了明确要求。同轴电缆独特的结构 —— 由内导体、外导体及中间绝缘介质构成的共轴设计,使其能够以 TEM(横电磁波)模式传输信号,这种模式下电场和磁场均垂直于传播方向,有效减少了信号泄露和外界干扰。但工程师们在测试中发现,同轴电缆的核心性能指标与特征阻抗之间存在显著的关联性,且不同指标对应的最优阻抗值差异明显。具体而言,当追求最大功率传输时,30 欧姆被证明是理想阻抗。这是因为在该阻抗下,内导体与外导体之间的电场分布使得电缆能够承受更高的电流密度,从而传输更大功率,这一特性在需要强信号输出的场景(如早期雷达发射系统)中至关重要。而若以最大耐受电压为目标,60 欧姆则成为优选,此时电缆内部电场强度分布更为均匀,绝缘介质的耐压性能得以充分发挥,适合高压信号传输场景。此外,最小传输损耗对应的阻抗更高,达到 77 欧姆,这是由于该阻抗下信号在介质中的热损耗和导体损耗达到平衡,信号衰减率最低,对长距离传输(如早期跨洋通信电缆)尤为关键。这些相互矛盾的最优解让工程师们陷入抉择:单一阻抗无法同时满足所有性能需求。经过反复论证,他们决定以算术平均的方式寻求折中方案。将最大功率对应的 30 欧姆与最小损耗对应的 77 欧姆相加后取平均值,得到约 53.5 欧姆的结果。后续实验进一步验证,在 48 至 53 欧姆的区间内,功率容量下降幅度不超过 5%,损耗增加比例控制在 10% 以内,这一波动范围完全能满足当时大多数射频系统的设计要求。50 欧姆作为该区间内易于计算和工程实现的整数,自然成为了折中选择。从介质特性角度看,50 欧姆的合理性得到了进一步印证。早期同轴电缆多采用空气或聚乙烯作为绝缘介质,当填充聚乙烯(介电常数约 2.3)时,理论计算显示其最小损耗阻抗约为 51 欧姆,与 50 欧姆极为接近。这意味着在实际应用中,采用 50 欧姆阻抗的电缆能在常规介质条件下保持较低的信号衰减,无需为适配特殊阻抗而额外调整介质参数,大幅降低了生产成本。而对于空气介质电缆(介电常数接近 1),虽然 77 欧姆是最优损耗阻抗,但空气介质在机械强度和防潮性能上的劣势使其难以广泛应用,这也间接巩固了 50 欧姆在实用化设计中的地位。行业标准化进程则为 50 欧姆的普及提供了关键推力。第二次世界大战期间,雷达、无线电通信等射频技术在军事领域的应用爆发式增长,不同军种、厂商采用的阻抗标准混乱(从 30 欧姆到 100 欧姆不等),导致设备兼容性极差,备件供应和系统维护成本居高不下。为解决这一问题,美国成立了 JAN(Joint Army Navy)组织,专门负责军用电子元器件的标准化工作。该组织通过大量对比测试发现,50 欧姆在军用射频系统中能同时兼顾功率传输(如雷达发射机)和信号接收灵敏度(如无线电接收机),且与当时主流电缆、连接器的制造工艺匹配度最高。随后,MIL(美国军用标准)将 50 欧姆纳入规范,要求所有军用射频设备统一采用这一标准。战后,这一标准借助美国科技企业的全球影响力向民用领域扩散。惠普公司(Hewlett-Packard)在 20 世纪 50 年代推出的射频测试仪器(如信号发生器、频谱分析仪)均以 50 欧姆为接口标准,由于其产品在全球电子测量领域的主导地位,欧洲、日本等地区的厂商不得不跟进适配。到 20 世纪 60 年代,50 欧姆已成为国际电信联盟(ITU)推荐的射频阻抗标准,彻底取代了此前存在的多种区域性标准。在实际应用中,50 欧姆标准的优势体现得尤为明显。射频系统通常由发射机、滤波器、放大器、天线等多个模块组成,当所有模块的输入输出端口均设计为 50 欧姆时,通过简单的同轴电缆连接即可实现阻抗匹配,信号反射系数可控制在 0.1 以下(回波损耗大于 20dB),确保 90% 以上的信号能量能够有效传输。反之,若阻抗不匹配,例如发射机输出为 50 欧姆而天线输入为 75 欧姆,会产生约 18% 的信号反射,不仅降低传输效率,还可能因反射信号叠加导致发射机功率管损坏。如今,从手机基站到卫星通信,从医疗成像设备到航空航天雷达,50 欧姆阻抗标准已深入射频技术的各个应用场景。尽管随着新材料、新结构传输线(如微带线、波导)的出现,阻抗设计有了更多选择,但 50 欧姆凭借其历史积累的兼容性和成熟的配套产业链,仍将在未来较长时间内保持核心地位。这一标准的演进历程,也成为工程技术中 “平衡优化” 理念的经典案例 —— 通过科学折中实现性能、成本与实用性的最佳结合。注释:射频学堂原创或者转载的内容,其版权皆归原作者所有,其观点仅代表作者个人,射频学堂仅用于知识分享。如需转载或者引用,请与原作者联系。来源:射频学堂

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