电吸收调制器（EA modulator）的高频特性

1、     如何测试EA chip的S参数？

•     端口1给EA chip加调制信号以及Vbias；

•     端口2是OE port，EA发出的光通过一个高带宽和高响应度的PD转换为电信号；

•     端口3给Laser加调制信号以及Ibias;

   

•     Port 1，给EA加调制信号和偏置电压，偏压可以通过VNA直接给，也可以通过外置bias_T来添加；

•     port 2，是OE port，将EA发出的光信号转换成电信号，这样VNA才可以正常接收；

•     port 3，给laser添加调制信号和偏置电流，只能通过外置bias_T来加偏置电流；

•     图3，使用GSG probe，因为当前的陶瓷片上没有足够的pad，所以需要额外做一个submount，然后再通过bonding wire连接，引入了额外的寄生参数，去嵌是个大问题；

   

•     图4，直接使用GS probe，由于EA和LD两边的GND pad和signal pad pitch不一样，所以要定制两种pitch的GS probe，而且EA 这边的GS probe pitch会比较大，寄生电感会大一些，带宽受限；