电光调制器,一种通过外部手段改变材料折射率的光电子器件,常用于电信号与光信号转换过程。现实当中电光调制器种类繁多,诸如铌酸锂基的电光调制器、硅基的电光调制器、基于等离子共振色散的电光调制器等等。然而,这些调制器原理不一样,这造就了分析调制器的原理和方法不能放之四海而皆准,必然是针对具体问题要采用特定的方法和技巧。考虑到硅基电光调制器的成熟工艺,下文将展现仿真硅基电光调制的整个流程。后面若有机会再分享铌酸锂基电光调制器和基于等离子共振色散的电光调制器。
在这里,硅基调制器的几何结构以发表在Photonic research【High-speed silicon photonic Mach–Zehnder modulator at 2 μm】的文章为案例。具体参数如下图所示:
其中,不同区域的载流子浓度如下表格所示:
P | 81e17/cm3 |
P+ | 21e18/cm3 |
P++ | 1e19/cm3 |
N | 41e17/cm3 |
N+ | 21e18/cm3 |
N++ | 1e19/cm3 |
接下来,我们使用Charge模块分析电压驱动下硅材料的复数折射率的变化。当然,有些研究者比较理想化地考虑电驱动硅材料的掺杂载流子对其折射率的影响,往往采用下面的公式进行计算:
这样的公式把掺杂硅材料理想花为具有电气化过程的Drude材料模型。但是,我们希望计算薛定谔方程等方式,更加真实反应掺杂硅材料在电驱动下的折射率改变情况。因此,我们在charge模块中构建了几何模型,如下图所示。
通过施加不同的电压,得到的载流子分布图如下:
这些图证明该模型在分析掺杂硅料构建的电光调制能够被电压驱动。然后把载流子分布数据导出来,在Mode Solution里面分析模式有效折射率变化。
在Mode Solution里构建波导几何结构,导入载流子分布数据之后图如下所示。硅材料与载流子分布数据在一起之后,通过扫描驱动电压就可以获得模式有效折射率变化。
接下,把折射率变化数据导入Interconnect中做长距离【L=5mm】的传输效率计算
到这里就已经从模式分析、电压驱动掺杂过程、电压驱动模式有效折射率变化以及长距离的传输效率把掺杂硅基电光调制器进行全过程分析了一遍。尽管如此,限于篇幅,详细的过程在后面继续介绍。