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一起做一下BMS的最差情况电路分析(WCCA)(上)

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日子过得依然很快,一晃五一都过了,四月份有点忙,精力跟不上,所以没更新,在五一期间好好休息调整了一下;我最近晚上保持在十二点前躺下,并且躺下后不看手机,这样睡眠质量就很好。

今天一起学习下最差情况电路分析(WCCA)怎么做,里面有些事情是我们实际下手做了才知道。  

首先看下这个标准《GJB/Z 223-2005 最坏情况电路分析指南》,这个标准定义了WCCA相关背景概念,也是我们能找到的比较对口的参考材料;具体地,里面介绍了计算WCCA的几个方法,并给出了实例,包括极值法、平方根法、蒙特卡洛方法。

上面的标准建议大家仔细阅读下,接下来我们找个电路来做下WCCA,就拿典型的高压采样电路来讲,如下图:此电路分压电阻为51MΩ,采样电阻为5.1KΩ,分压后由BJB芯片采样,假设输入电压为1000V

接着我们把这三种关键器件的BOM自己定义一下:例如选用YAGEOAC普通车规厚膜电阻为例,BJB选择常用的2950,简要看下怎么计算。  

位号      

型号      

描述      

厂家      

R1/R2/R3/R4/R5      

AC1206DR-071ML      

1MΩ/1206/0.5%/100PPM      

YAGEO      

R6      

AC0402DR-075K1L      

5.1KΩ/0402/0.5%/100PPM      

YAGEO      

BJB      

ADBMS2950      

/      

ADI      

WCCA的主要核心逻辑为三点,如下:  

1、建立电路中关键器件参数公差表  

2、建立电路输出性能与参数的函数关系  

3、在参数的公差范围内,计算输出最大值和最小值  

那么我们首先要建立上面这些关键器件的公差表,对于电阻来讲其关键参数是阻值,对BJB来讲关键参数是ADC的精度;公差表的建立方法可参考降额标准的附录B,里面讲述了引起器件参数变化的因素有两种类型:随机性变化与偏置性变化,处理时将随机性偏差当成正态分布处理,即求取其平方根值,偏置性偏差直接代数累加,最终再将二者相加。

标准中实际举例如下图:针对电容的容值做了一个公差表,其中将影响容值的各个主要因素做了一个罗列,并分成偏置性偏差与随机性偏差两种,填写上具体数值,最终得到电容的最大值与最小值。

我们按照此思路来具体计算一下,先看下AC系列电阻影响阻值的因素有哪些;在其规格书中列出了很多阻值变化的影响因素,这里就需要做一个取舍,如果把所有因素都考虑进来的话精度会很差,过于严苛也没有实际应用意义,所以可以考虑实际会遭遇到的因素,例如初始阻值误差、温漂、焊接后的阻值漂移、老化等,这些量值都可以在规格书中找到;需要说明的是影响因素的取舍需要各自结合实际来判断,这里给不出严格意义上的标准

接着我们也同样做一个公差表出来,下表是1MΩ电阻的公差表:其中初始阻值为±0.5%,焊接和老化直接从规格书中得到;温漂的话需要转换一下,按照±100ppm/℃、最大温差65℃来计算,得到±0.65%;除此之外,对于分压电阻还要考虑一个电压系数,一般为负值,这里假设是-20ppm/V,那么每个电阻分压100V就对应偏差为-0.2%;如果是5.1KΩ采样电阻的话,电压系数基本可以不考虑;最终把这些值按照前面的规则叠加在一起,就得到了最小最大值。

我们再看下得到的最差值,本来是0.5%精度的电阻,叠加主要影响因素之后,阻值精度就达到了将近1.5%,这个确实是比较出人意料的哈。  

假如我们选择YAGEO的车规薄膜电阻AT系列,做相同的计算得到下表:AT薄膜电阻我们可以选择到精度±0.1%,温漂±25ppm/℃,而焊接与老化后的偏差更低,电压系数也更低,最终得到的阻值精度最差大概为0.4%,所以这个就是我们之前多采用薄膜电阻来做高压采样的原因(除了电化学腐蚀这个缺点外,薄膜电阻的精度优势太大了)。

然后是BJBADC采样误差计算,从BJB的规格书中可以得到其ADC影响精度的各个因素大小,还提供了1V以上的总误差(TME),如果为了省事可以直接采样TME误差,但如果未提供TME误差,那需要按照前面的方式,将主要影响因素做叠加;ADC精度的主要影响因素有增益、失调电压、非线性和噪声,这里不展开,直接采取TME误差的±0.2%来计算。

总结:  

篇幅原因,后面再接着写吧,今天就洗洗睡了;以上所有,仅供参考。

来源:新能源BMS
非线性化学电路芯片焊接材料
著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2025-05-21
最近编辑:13小时前
胡摇扇
新能源BMS
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